集微咨詢（JW insights）認為：

- 隨著SiC、GaN器件的制備工藝逐步成熟，其生產成本也在不斷降低，第三代半導體發展正駛向快車道；

- SiC產業格局呈現美歐日三足鼎立態勢，但中國大陸在全產業鏈均有布局；

- 2022年Q1預計4英寸半絕緣晶圓仍是市場主流，2022下半年慢慢轉向6英寸；

- 第三代半導體發展關鍵為SiC襯底，這也是SiC領導廠商寡占市場的主因，大陸仍面臨襯底技術瓶頸。

半導體材料是半導體產業鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導體產品生產制造中起到關鍵性的作用。當前，在全球推進“碳達峰”、實現“碳中和”的趨勢浪潮下，第三代化合物半導體正在加速發展。而以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是繼硅材料之后最有前景的半導體材料之一。

圖源：臺灣工研院產科研究所

全國近四成省份同步發展第三代半導體

相比第一代與第二代半導體材料，第三代半導體材料是具有較大禁帶寬度（禁帶寬度>2.2eV）的半導體材料。第三代半導體主要包括碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）、氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅（ZnO）等，這些材料在導熱率、抗輻射能力、擊穿電場、電子飽和速率等方面優點突出，因此更適用于高溫、高頻的場合。

近年來，隨著SiC、GaN器件的制備工藝逐步成熟，其生產成本也在不斷降低，第三代半導體正以其優良的性能突破傳統硅基材料的瓶頸，逐步進入硅基半導體市場，有望引領新一輪產業革命。

當前，包括中國、歐洲、美國、日本、韓國等在內的國家或地區都紛紛開始制定計劃，大力發展第三代半導體產業。

中國高度重視第三代半導體產業，并推出了一系列“組合拳”政策促進發展。2021年“十四五”規劃提出要瞄準集成電路等前沿領域，推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。集微咨詢（JW insights）整理發現，中國已有超13省“十四五”規劃重點提及第三代半導體。據不完全統計，2020年所披露全國新開工以及新簽約第三代半導體產業項目的投資總額已超400億元。2020年，我國第三代半導體領域融資超15筆，總融資規模超35億元；2021上半年，我國第三代半導體領域融資超10筆。

集微咨詢（JW insights）認為：

- 隨著SiC、GaN器件的制備工藝逐步成熟，其生產成本也在不斷降低，第三代半導體發展正駛向快車道；

- SiC產業格局呈現美歐日三足鼎立態勢，但中國大陸在全產業鏈均有布局；

- 2022年Q1預計4英寸半絕緣晶圓仍是市場主流，2022下半年慢慢轉向6英寸；

- 第三代半導體發展關鍵為SiC襯底，這也是SiC領導廠商寡占市場的主因，大陸仍面臨襯底技術瓶頸。

半導體材料是半導體產業鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導體產品生產制造中起到關鍵性的作用。當前，在全球推進“碳達峰”、實現“碳中和”的趨勢浪潮下，第三代化合物半導體正在加速發展。而以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是繼硅材料之后最有前景的半導體材料之一。

圖源：臺灣工研院產科研究所

全國近四成省份同步發展第三代半導體

相比第一代與第二代半導體材料，第三代半導體材料是具有較大禁帶寬度（禁帶寬度>2.2eV）的半導體材料。第三代半導體主要包括碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）、氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅（ZnO）等，這些材料在導熱率、抗輻射能力、擊穿電場、電子飽和速率等方面優點突出，因此更適用于高溫、高頻的場合。

近年來，隨著SiC、GaN器件的制備工藝逐步成熟，其生產成本也在不斷降低，第三代半導體正以其優良的性能突破傳統硅基材料的瓶頸，逐步進入硅基半導體市場，有望引領新一輪產業革命。

當前，包括中國、歐洲、美國、日本、韓國等在內的國家或地區都紛紛開始制定計劃，大力發展第三代半導體產業。

中國高度重視第三代半導體產業，并推出了一系列“組合拳”政策促進發展。2021年“十四五”規劃提出要瞄準集成電路等前沿領域，推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。集微咨詢（JW insights）整理發現，中國已有超13省“十四五”規劃重點提及第三代半導體。據不完全統計，2020年所披露全國新開工以及新簽約第三代半導體產業項目的投資總額已超400億元。2020年，我國第三代半導體領域融資超15筆，總融資規模超35億元；2021上半年，我國第三代半導體領域融資超10筆。

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