索尼全球首發雙層晶體管堆疊式 CIS 技術
12 月 16 日訊，今天索尼半導體解決方案宣布其已成功開發出全球首個雙層晶體管像素堆疊式 CIS 技術。
和傳統 CIS 光電二極管和像素晶體管分布在同一基片不同，索尼半導體開發的新技術讓光電二極管分別置于不同的基片層。
新技術不僅使得獨立優化光電二極管和像素晶體管架構成為了可能，從而使飽和信號量相較傳統圖像傳感器增加約一倍，同時還能增加放大晶體管的尺寸，從而大幅降低在昏暗場景下的噪點問題。
（holly）
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