據DIGITIMES報道，有報道稱，三星電子的3nm GAA工藝良率仍遠遠落后于其目標。

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根據一份報道，三星正在努力提高其3nm GAA工藝良率，該工藝良率剛剛達到10%至20%之間。三星4nm工藝制造的良率也不盡如人意，僅為30%-35%。

市場消息人士認為，三星第一代3nm GAA工藝將首先用于三星自研芯片的制造，該工藝不太可能被外部客戶采用。但該消息人士稱，三星的第二代3nm工藝將為外部客戶的芯片設計做好準備，預計明年開始量產。

該消息人士指出，臺積電在轉向GAA晶體管技術時是否會面臨良率問題還有待觀察。臺積電極有可能擁有基于GAA的2nm，目標是在2025年投產。（隱德萊希）