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4月底，國內(nèi)封測龍頭長電科技、通富微電、華天科技和晶方科技公布了今年第一季度業(yè)績，根據(jù)各家公司數(shù)據(jù)，今年以來整體封測市場仍然表現(xiàn)出超強的景氣度。受益于集成電路國產(chǎn)化、智能化、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、雙碳經(jīng)濟、新能源汽車、工業(yè)控制、5G等新技術(shù)新需求的落地應(yīng)用，半導體行業(yè)仍處于高景氣周期，與此同時，國家政策紅利會繼續(xù)得到釋放，在強勁的國產(chǎn)化需求以及全球新技術(shù)革新的推動下，國內(nèi)封測企業(yè)即將迎來更為有利的發(fā)展局面。

觀察第一季度各公司數(shù)據(jù)，其中僅有華天科技和晶方科技業(yè)績表現(xiàn)出雜音。對此華天科技解釋，一季度凈利潤下滑主要是由于本季度固定資產(chǎn)計提的折舊等營業(yè)成本增長所致。晶方科技則表示，一季度營收下降，一方面是手機業(yè)務(wù)領(lǐng)域整體市場比較疲軟；另一方面是疫情對物流運輸、來料進口報關(guān)、生產(chǎn)效率有所影響。凈利潤下降原因為兩方面，一是公司收入有所下降，二是政府補助收入減少了1500萬，這與政府項目驗收進度等有關(guān)系。同時財務(wù)收益減少了400萬，主要是公司資金存款大部分做了3個月、6個月的資金管理，存款期限未到，使得利息收入降低了，待存款期限到期后，相應(yīng)的利息收入會進行確認。

事實上這也反映了今年以來半導體市場景氣度的兩大主要影響因素。首先是今年以來，盡管上游代工產(chǎn)能仍然持續(xù)滿載，高性能計算、汽車電子、功率IC、存儲器、顯示驅(qū)動等芯片依然緊缺，但消費電子、家電等市場需求逐漸放緩，相應(yīng)下游封測領(lǐng)域訂單也隨之有所減少，不過第一季度通常是整個消費電子市場的傳統(tǒng)淡季。其次是3月份以來上海及周邊地區(qū)疫情對半導體產(chǎn)業(yè)造成了不同程度的影響，而上述封測企業(yè)在該地區(qū)均設(shè)有廠房。不過受到影響的除了晶方科技，僅通富微電表示通過封閉運營維持一線生產(chǎn)，對公司物流有一定影響。

如果觀察各公司2021年度數(shù)據(jù)，均表現(xiàn)出超高的增長速度，顯示供需兩端嚴重的不平衡是當下半導體行業(yè)最大的困境。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2021年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為10458.3億元，同比增長18.2%。其中，設(shè)計業(yè)銷售額為4519億元，同比增長19.6%；制造業(yè)銷售額為3176.3億元，同比增長24.1%；封裝測試業(yè)銷售額為2763億元，同比增長10.1%。

隨著芯片國產(chǎn)化進程的不斷加快，必將推動封測需求進一步增長。部分封測企業(yè)還指出，在“缺芯”狀況下，海外產(chǎn)業(yè)鏈上的企業(yè)容易“選邊站”，更加加大了國內(nèi)封測企業(yè)的機會。雖然市場存在波動，長期來看國內(nèi)封測企業(yè)仍較保持高速增長的趨勢，為此通富微電給出了2022年實現(xiàn)營業(yè)收入200億元的目標，華天科技也給出了150億元的營收預測。

值得一提的是，得益于對更高集成度的廣泛需求，以及5G、消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和高性能計算機等大趨勢的推動，隨著芯片與電子產(chǎn)品中高性能、小尺寸、高可靠性以及超低功耗的要求越來越高，促使先進封裝技術(shù)不斷突破發(fā)展，使得先進封裝逐步替代原來終端中的傳統(tǒng)封裝，進入快速發(fā)展期。據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年全球封裝市場規(guī)模約達777億美元。其中，先進封裝全球市場規(guī)模約350億美元，預計到2025年先進封裝的全球市場規(guī)模將達到420億美元，2019-2025年全球先進封裝市場的CAGR約8%。相比同期整體封裝市場(CAGR=5%)和傳統(tǒng)封裝市場，先進封裝市場增速更為顯著，將為全球封裝市場貢獻主要增量。

全球半導體封裝測試產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)(2016-2025年) 資料來源：Yole

同時集微咨詢數(shù)據(jù)顯示，2020年中國先進封裝產(chǎn)值達903億元，先進封裝占比持續(xù)提升，達到36%，隨著5G帶來的新應(yīng)用逐步落地和現(xiàn)有產(chǎn)品向SiP、WLP等先進封裝技術(shù)轉(zhuǎn)換，先進封裝市場需求將維持較高速度的增長，同時封測廠主要投資將集中在先進封裝領(lǐng)域，帶動產(chǎn)值快速提升，預計2023年，中國先進封裝產(chǎn)值將達到1330億元，約占總封裝市場的39%。目前國內(nèi)的先進封裝主要集中在長電科技、通富微電和華天科技等幾家龍頭企業(yè)，前四大龍頭企業(yè)先進封裝產(chǎn)值占中國全部封裝產(chǎn)值的30.5%，并且隨著新產(chǎn)線的完成，產(chǎn)能將占比將進一步擴大。

圖：國內(nèi)先進封裝市場結(jié)構(gòu)占比 資料來源：集微咨詢

幾大封測龍頭廠商在2021年年報中體現(xiàn)了這一點。除了積極擴增產(chǎn)能，近幾年均在持續(xù)加大在先進封裝領(lǐng)域的技術(shù)布局，從封裝技術(shù)層面看，以第二代傳統(tǒng)封裝（SOT、QFN、BGA等）和第三代先進封裝技術(shù)（FC、FIWLP、FOWLP、TSV等）為主。

長電科技表示，目前先進封裝已成為公司的主要收入來源，先進封裝生產(chǎn)量34,812.86百萬顆，占到所有封裝類型的45.5%，其中主要來自于系統(tǒng)級封裝，倒裝與晶圓級封裝等類型。面向Chiplet異構(gòu)集成應(yīng)用，公司于去年宣布正式推出XDFOI全系列極高密度扇出型封裝解決方案。該封裝解決方案是新型無硅通孔晶圓級極高密度封裝技術(shù)，相較于2.5D硅通孔（TSV）封裝技術(shù)，具備更高性能、更高可靠性以及更低成本等特性，目前已完成超高密度布線，進入客戶樣品流程，預計今年下半年量產(chǎn)。重點應(yīng)用領(lǐng)域包括高性能運算應(yīng)用如FPGA、CPU/GPU、AI、5G、自動駕駛、智能醫(yī)療等。

2022年長電科技將推動實施技術(shù)開發(fā)5年規(guī)劃，面向5G/6G射頻高密度系統(tǒng)的封裝及系統(tǒng)級測試，超大規(guī)模高密度QFN封裝，2.5D/3D Chiplet，高密度多疊加存儲技術(shù)等八大類逾三十項先進技術(shù)開展前瞻性研發(fā)，盡快完成產(chǎn)品驗證并實現(xiàn)量產(chǎn)，推動技術(shù)和產(chǎn)品價值進一步提升，持續(xù)增強市場競爭力。

通富微電表示，公司緊緊抓住市場發(fā)展機遇，面向未來高附加值產(chǎn)品以及市場熱點方向，在高性能計算、存儲器、汽車電子、顯示驅(qū)動、5G等應(yīng)用領(lǐng)域，大力開發(fā)扇出型、圓片級、倒裝焊等封裝技術(shù)并擴充其產(chǎn)能，在2.5D、3D封裝領(lǐng)域在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位，建立了完整的生產(chǎn)線，與世界一流公司在存儲、GPU、CPU等領(lǐng)域開展合作，從研發(fā)階段，就與客戶開展密切合作，進一步推動公司產(chǎn)品技術(shù)進步，拓展了公司業(yè)務(wù)份額。此外積極布局Chiplet、2.5D/3D等先進封裝技術(shù)，形成了差異化競爭優(yōu)勢。2021年，公司技術(shù)研發(fā)水平再創(chuàng)新高，在先進封裝方面公司已大規(guī)模生產(chǎn)Chiplet產(chǎn)品，7nm產(chǎn)品已大規(guī)模量產(chǎn)，5nm產(chǎn)品已完成研發(fā)即將量產(chǎn)，公司技術(shù)實力進一步提升。

天水華天表示，20201年完成大尺寸eSiFO產(chǎn)品工藝開發(fā)，通過芯片級和板級可靠性認證。3D eSinC產(chǎn)品、Mini SDP、1主控+16層NAND堆疊的eSSD、基于176層3D NAND工藝的SSD、NAND和DRAM合封的MCP、Micro SD、硅基GaN封裝產(chǎn)品等均實現(xiàn)量產(chǎn)。完成單顆大尺寸HFCBGA、基于Open Molding工藝的大尺寸 FCCSP產(chǎn)品開發(fā)。5G FCPA集成多芯片SiP等5G射頻模組實現(xiàn)量產(chǎn)，完成EMI工藝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品導入，具備量產(chǎn)能力。

今年公司將繼續(xù)堅持以市場為導向的技術(shù)創(chuàng)新，開展2.5D Interpose FCBGA、FO FCBGA、3D FO SiP等先進封裝技術(shù)，以及基于TCB工藝的3D Memory封裝技術(shù)，Double Side molding射頻封裝技術(shù)、車載激光雷達及車規(guī)級12英寸晶圓級封裝等技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)，未來則將聚焦于大力發(fā)展MCM (MCP)、SiP、FC、TSV、MEMS、Bumping、Fan-Out、WLP等先進封裝技術(shù)和產(chǎn)品。

晶方科技聚焦于傳感器領(lǐng)域，2021年公司持續(xù)加大對新技術(shù)、新工藝的研發(fā)創(chuàng)新投入，持續(xù)加強晶圓級TSV封裝技術(shù)、Fan-out晶圓級技術(shù)、SIP系統(tǒng)級封裝技術(shù)等的研發(fā)與創(chuàng)新，先后開發(fā)、完善了基于異質(zhì)結(jié)構(gòu)的晶圓級封裝技術(shù)、MEMS晶圓三維封裝技術(shù)、生物醫(yī)療影像芯片晶圓級封裝技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)ToF影像模組技術(shù)、5G聲表面波濾波器晶圓級封裝技術(shù)，IBGA封裝技術(shù)等業(yè)界領(lǐng)先的集成電路封裝技術(shù)，同時公司也整合開發(fā)了晶圓級微鏡頭陣列(WLO)生產(chǎn)技術(shù)，并在國內(nèi)率先實現(xiàn)量產(chǎn)。晶圓級封裝的高技術(shù)壁壘，決定了其高毛利。

值得一提的是，晶方科技通過收購晶方產(chǎn)業(yè)基金股權(quán)，實現(xiàn)對晶方光電及荷蘭Anteryon的股權(quán)控制，進一步加強業(yè)務(wù)與技術(shù)的互補融合，一方面推進Anteryon公司的光學設(shè)計與混合光學鏡頭業(yè)務(wù)的穩(wěn)步增長，盈利能力不斷增強。同時有效提升晶方光電晶圓級微型光學器件制造技術(shù)的工藝、量產(chǎn)能力，實現(xiàn)商業(yè)化規(guī)模應(yīng)用。參與投資以色列VisIC公司，積極布局車用高功率氮化鎵技術(shù)，充分利用自身先進封裝方面的產(chǎn)業(yè)和技術(shù)能力，為把握三代半導體在新能源汽車領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇進行技術(shù)與產(chǎn)業(yè)布局。

從專利角度來看，除個別年份之外，長電科技專利年申請量均居于首位，尤其在早期，其專利申請量具有明顯的優(yōu)勢。2014年之后，天水華天科技、通富微電和蘇州晶方半導體等逐漸縮小了與龍頭企業(yè)的競爭力差距。但長電科技有效專利數(shù)量最高，超過3000件；通富微電子和天水華天科技有效專利數(shù)量均在1000件左右。長電科技專利布局涵蓋所有封測領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)，在封裝引線框架、制造或處理半導體、按配置特點進行分區(qū)分封裝等分支(H01L23/495、H01L21/00、H01L23/31)上具備優(yōu)勢；天水華天科技和通富微電子關(guān)鍵技術(shù)鏈完整度基本并列第二位，其中通富微電子稍側(cè)重在引線或其他導電構(gòu)件的連接和器件密封(H01L21/60、H01L21/56)方向的專利布局，而天水華天科技側(cè)重封裝引線框架(H01L23/495)方向。蘇州晶方半導體次于上述三者排名第三，其專利布局重點在于圖像結(jié)構(gòu)(H01L27/146)。

在“下游需求高景氣度+ 集成電路高端領(lǐng)域國產(chǎn)替代加速”的雙輪驅(qū)動下，隨著國內(nèi)封裝測試企業(yè)在FC、WLCSP、Bumping、TSV、SiP、FO等先進封裝領(lǐng)域布局完善和先進封裝產(chǎn)能持續(xù)釋放，以及并購整合的持續(xù)進行，國內(nèi)封測廠商有能力承接全球集成電路封裝業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移，市場規(guī)模和市場集中度有望進一步提升。

盡管國內(nèi)封測龍頭正不斷在先進封裝領(lǐng)域追趕，但是在先進封裝中處于更高金字塔頂端的高端性能封裝，仍然由臺積電、英特爾、三星等公司引領(lǐng)。Yole最新報告顯示，高端性能封裝市場2027年將達到78.7億美元規(guī)模，2021~2027年間年復合增長率達19%。該領(lǐng)域主要包括UHD FO、HBM、3DS和有源硅中介層等技術(shù)，至2027年預計總共將占據(jù)50%以上的高端性能封裝市場。

同時，2021年，頂級半導體廠商在封裝業(yè)務(wù)中進行了約116億美元的資本支出投資。

其中英特爾以35億美元的金額成為最大的投資公司，其3D芯片堆疊技術(shù)Foveros，即在一個有源硅中介層上堆疊一個裸芯。嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）技術(shù)是其2.5D封裝解決方案，所采用的是55微米凸塊間距。Foveros和EMIB相結(jié)合，就產(chǎn)生了用于Ponte Vecchio GPU的Co-EMIB。英特爾計劃為Foveros Direct采用混合鍵合技術(shù)。

臺積電以30.5億美元的資本支出緊隨其后。在通過其InFO解決方案確保獲得更多UHD FO業(yè)務(wù)的同時，臺積電也在為3D SoC定義新的系統(tǒng)級路線圖和技術(shù)。其CoWoS平臺提供RDL或硅中介層等解決方案，而其LSI平臺是EMIB的直接競爭對手。臺積電已然成為一家高端封裝領(lǐng)軍企業(yè)，其領(lǐng)先的FE先進節(jié)點使其有能力主導下一代系統(tǒng)級封裝。

日月光則是唯一一家正努力在封裝領(lǐng)域與代工廠和IDM一較高下的OSAT。憑借其產(chǎn)品FoCoS，日月光半導體也是目前唯一擁有UHD扇出型解決方案的OSAT。

三星也致力于提供類似CoWoS-S的I-Cube技術(shù)。該公司是3D堆疊存儲器解決方案的引領(lǐng)者之一，提供HBM和3DS解決方案，其X-Cube技術(shù)將使用混合鍵合實現(xiàn)互連。

總而言之，在更前沿的先進封裝領(lǐng)域，OSAT廠商在資本投入和前端制程方面的能力仍然難與英特爾、臺積電和三星等巨頭匹敵，進入3D封裝、Chiplet等全面異構(gòu)集成時代之后，盡管后道封測在產(chǎn)業(yè)鏈中地位越來越重要，但預計頭部代工廠與OSAT在先進封裝領(lǐng)域的分水嶺也將愈發(fā)明顯。隨著前道與后道工藝界限趨于模糊，越來越需要設(shè)計、制造、封測企業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈緊密結(jié)合、共同協(xié)作，國內(nèi)封測企業(yè)及整個產(chǎn)業(yè)鏈更需認真探索產(chǎn)業(yè)變革下的趕超路徑。（Mike）

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