6月22日，據(jù)悉，三安光電湖南項目預(yù)計明日一期投產(chǎn)，進(jìn)行設(shè)備點亮。

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司是三安光電全資子公司，致力于第三代化合物半導(dǎo)體碳化硅及氧化鎵材料、外延、芯片及封裝的開發(fā)，占領(lǐng)第三代半導(dǎo)體核心領(lǐng)域制高點。三安光電建設(shè)的湖南第三代半導(dǎo)體項目將率先在國內(nèi)建立碳化硅研發(fā)與生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)化基地。

三安光電Mini/Micro顯示產(chǎn)業(yè)化項目于2019年4月簽約，同年11月開工建設(shè)。今年4月16日，湖北三安光電項目第一批晶圓片正式投料。

據(jù)介紹，該項目占地756畝，總投資120億元，總建筑面積47.77萬平方米，一期建筑面積25萬平方米，集生產(chǎn)、研發(fā)、綜合配套于一體，是涵蓋上游外延片、芯片及中游封裝等產(chǎn)業(yè)化、專業(yè)性的復(fù)合式光電產(chǎn)業(yè)園，主要建設(shè)Mini顯示芯片封裝生產(chǎn)線及特種氣體供應(yīng)站、污水處理站及研發(fā)實驗室等工程及配套設(shè)施。

項目建成后年產(chǎn)氮化鎵系列芯片161萬片、砷化鎵系列芯片75萬片、4K顯示屏用封裝產(chǎn)品年產(chǎn)84000臺。建成后預(yù)計年營業(yè)額71.75億元，年納稅額7.83億元，新增就業(yè)近9800人。將形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)、掌握核心技術(shù)、掌握行業(yè)話語權(quán)，具有重要國際影響力的 Mini/Micro LED 芯片產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。

此外，項目一期計劃投資55億元，主要新建廠房、生產(chǎn)附屬用房及配套生活設(shè)施。截止2021年4月底，累計完成投資31.9億元，一期已建設(shè)完成。（Arden）