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消息（文/思坦），“在元素周期表耗盡之前，我們將堅持不懈地追求摩爾定律，用硅的魔力進行創新。”在26日舉行的名為“英特爾加速”的網絡直播中，英特爾CEO Pat Gelsinger如是說。

在這次直播中，英特爾同步發布了迄今為止最詳細的流程和封裝技術路線圖之一，展示了一系列將在2025年及以后為產品提供動力的基礎性創新。

除了立下4年追5個節點的目標外，宣布使用新的節點命名規則，被認為是英特爾在先進制程上為自己的正名，也是對臺積電、三星等昔日手下敗將的再次宣戰。

然而，新命名真的能為英特爾正名嗎？所謂的“埃時代”，真的能成為英特爾重新奪回霸主地位的轉折點嗎？

線路圖關鍵：拋棄“納米”、節點命名“概念化”

根據英特爾所說，除了其去年推出、并于近期實現大批量生產的10nm SuperFin節點仍將使用該命名外，接下來的所有節點將不再以半導體晶體管尺寸（“納米”）命名，而是基于客戶看重的關鍵技術參數，即性能、功率和面積，將命名“概念化”。

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首先，原本名為Enhanced SuperFin的節點將改名為Intel 7。與Intel 10nm superin相比，Intel 7每瓦性能將提高10%-15%，今年底的Alder Lake筆記本處理器與明年初的Sapphire Rapids數據中心處理器將搭載。

Intel 7之后，Intel 4相當于傳統命名中的7nm，將完全采用EUV光刻技術，也是英特爾首個完全采用EUV技術的制程節點。計劃于2022年下半年投產，2023年出貨，搭載的產品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數據中心的Granite Rapids。其中，Meteor Lake已于上季度tape in。

Intel 3則是在Intel 4的基礎上，對FinFET晶體管結構進行了進一步優化，同時在制造工序中再度增加了EUV的使用，每瓦性能再提升約18%，同時在芯片面積上有額外改進，預計將于2023年下半年投產。

之后就被英特爾認為具有劃時代意義的Intel 20A節點，半導體制程將告別“納米時代”，正式進入“埃時代”。“埃”（Angstrom）是 0.1nm的長度， Intel 20A實質上等同于傳統命名規則中的2nm。Intel 20A預計于2024年量產，高通為已確定將成為使用Intel 20A制程技術的客戶之一。

在此節點，英特爾將推出兩大突破性技術：RibbonFET是英特爾對Gate All Around（GAA）晶體管的實現，也是公司自2011年首創FinFET以來的第一個新的晶體管架構，能夠在更小的面積內用相同的電流提供更快的晶體管開關速度；

PowerVia則是英特爾業內率先實現的獨特的背面電源傳輸，通過將芯片正面供電的回路與訊號傳遞的回路分離，移到芯片的背部，避免供電與信號之間的干擾，優化信號的傳遞。

最后，基于Intel 20A的改進版Intel 18A也已進入開發階段，憑借對RibbonFET的改進，將在晶體管性能上實現又一次重大飛躍。預計將于2025年年初問世。

與此同時，英特爾還致力于定義、構建和部署下一代High-NA EUV（高數值孔徑EUV），有望率先獲得業內第一臺High-NA EUV光刻機。為此，公司正與ASML保持密切合作，力求這一行業性突破能夠超越當代EUV。

新命名背后：“埃時代”來臨、英特爾正名

事實上，無論從當前先進制程發展現狀等客觀因素，亦或是英特爾自身主觀意愿上看，新制程命名方式的問世，都是符合邏輯的。

從客觀因素上看，隨著行業越來越接近“1nm”節點，新的命名規則反映了向新時代的過渡，即工程師在原子水平上制造器件和材料的時代——半導體的“埃時代”。

此外，目前對于節點的命名是以半導體上最小的零組件尺寸為基礎，雖然說就廣義上來說代表示技術演進的世代，但就算是這些零組件本身，也會因為結構和技術，而在性能上有著差異。英特爾也表示，隨著公司進入代工市場，采取這一舉措是為了方便客戶將其與競爭對手進行比較。

一些分析師也表示，用來描述芯片制造進步的舊方法已不再適用。美國芯片分析師帕特里克?穆爾黑德（Patrick Moorhead）認為，就芯片制造技術而言，隨著其他方面的重要性日益突顯，這個術語已沒有多少意義。

以英特爾與臺積電、三星在傳統命名規則中的同一制程節點為例，在10nm節點上，臺積電達到了每平方毫米5300萬個晶體管密度，三星為5200萬個，但英特爾10nm節點具有1.06億個晶體管密度，甚至優于臺積電和三星的7nm節點。

因此在這一層面上，新的命名規則也被解讀為英特爾在先進制程工藝上為自己的“正名”。VLSI Research主管丹?哈奇森（Dan Hutcheson）表示，舊命名規則讓英特爾看起來落后臺積電兩年，而實際上只落后大約6個月。

著名半導體分析師陸行之同樣認為，英特爾的10nm和7nm制程技術，確實與臺積電的7nm與4nm技術不相上下。英特爾放棄了過去在節點名稱上的堅持，回歸產業正軌，產業分析師今后也只需關注各家資本開支、量產時點、良率、產能利用率、成本等。

以此類推，英特爾2022年原本要用10nm SuperFin加強版量產做的筆電CPU Alder Lake、服務器CPU Sapphire Rapids正名為7nm，與臺積電相差4年；2023年原本要用7nm量產做的筆電CPU Meteor、服務器CPU Granite Rapids正名為4nm，與臺積電相差一年。

另外，英特爾3nm要在2023年下半年投片量產，與臺積電相差1年；2nm/20A Angstrom要在2024年量產，應該與臺積電2nm/20A投片量產時點不相上下。

不過，所謂“正名”也不過是將英特爾與臺積電、三星等對手的距離拉近了一些而已。作為曾經的先進制程領頭羊，英特爾要在該線路圖下奪回王座，意味著到2025年的4年內要追5個節點，同時進行至少一次的技術轉換，這份野心，眼下的英特爾是否能承擔？

分析師褒貶不一：英特爾更謹慎了嗎？

鑒于英特爾此前在先進制程進度上“放鴿子”的先例，對這份全新的技術線路圖，唱衰者不在少數。

路透社文章指出，英特爾面臨的最大問題是，其計劃最終能否兌現，因為在前任首席執行官科再奇（Brian Krzanich)任內，該公司在技術方面的承諾已拖延多年。就在最近幾周，英特爾宣布推遲發布Sapphire Rapids。

韋德布什證券（Wedbush Securities)分析師馬特·布萊森（Matt Bryson)認為，“對投資者來說，周一的聲明并不是特別令人放心。”這提醒人們，復出計劃需要花費多少時間和金錢。“沒有保證，”即使根據英特爾自己的時間表，也需要數年時間才能趕上臺積電。

對于英特爾聲稱采用新命名是為幫助客戶對整個行業的制程節點演進建立一個更準確的認知，布萊森也認為并不必要。“你推銷的對象非常了解產品之間的差異。”

分析師穆爾黑德也強調：“如果他們（英特爾）如期實現所有目標，他們就有可能于2024年重回領先地位——但這是一個很大的‘如果’。”

與高通在Intel 20A節點上的合作同樣暗藏隱憂。路透社認為，高通正在通過筆記本電腦處理器進入個人電腦市場，這與英特爾的主要業務形成了直接競爭。

另外也有部分聲音稱，英特爾比過去更加謹慎，線路圖的發布是一種信號，也是宣戰。

不過，科技公司Real World旗下分析師大衛·坎特（David Kanter)表示，此前英特爾多年的拖延部分是由于在一代人的技術中解決多個技術問題的“自大”造成的。而這一次，英特爾將在四年內推出五代技術，解決更小的問題，而且，如果沒有準備好，英特爾也不會在Intel 18A節點中采用新的EUV技術。

“在未來幾年，英特爾絕對會迎頭趕上，并在某些方面領先于臺積電。”坎特說。

陸行之對此也抱有相同的看法。其27日在Facebook上發表的文章稱，一般人認為，英特爾制程工藝追不上臺積電，用改名更快，但他認為臺積電不能輕敵，這雖然是宣戰，但也算是縮短差距的彎道加速超車新策略。

此外，“這是Pat Gelsinger上任CEO后，英特爾一口氣公布未來5年的制程工藝藍圖，以后再延遲，就一翻兩瞪眼很難看了。”陸行之說。

總結

值得一提的是，在發布線路圖的當天，英特爾也正式宣布，亞馬遜的AWS云計算部門將成為首個使用英特爾代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶。而在此之前，英特爾收購格芯所引發的回響也尚未平息，業內大部分認為，后者為英特爾在代工業務的重要加碼。

這些跡象均表明，英特爾此番確實來勢洶洶，先進制程、代工業務諸多線路并進，劍指旁落多年的半導體霸主地位。而在臺積電、三星先進制程同樣進展迅速的背景之下，可以預見，三雄爭霸的場面即將再現。

（小山）

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