原標(biāo)題：TrendForce：氮化鎵功率器件市場(chǎng) 2021 年增長(zhǎng)率可達(dá) 90.6%

IT之家3月13日消息 TrendForce 集邦咨詢近日發(fā)布了 GaN 氮化鎵市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告。報(bào)告顯示，盡管 2018 年至 2020 年以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到貿(mào)易摩擦、疫情影響增長(zhǎng)受到壓力，但 2021 年該產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)動(dòng)能有望高速回升，預(yù)計(jì) GaN 氮化鎵功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 6100 萬美元，年增長(zhǎng)率達(dá)到 90.6%。

TrendForce 詳細(xì)介紹了作出此預(yù)測(cè)的原因。首先，新冠疫苗的問世有望緩解全球疫情，進(jìn)而帶動(dòng)工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器、變頻器等，以及通訊基站需求回穩(wěn)。其次，隨著特斯拉 Model 3 電動(dòng)車逆變器逐漸采用 SiC 碳化硅器件，第三代半導(dǎo)體于車用市場(chǎng)逐漸備受重視。最后，中國(guó)政府為提升半導(dǎo)體自主化，今年提出十四五計(jì)劃投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能，上述都將成為推升 2021 年 GaN 及 SiC 等第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)的動(dòng)能。

IT之家獲悉，GaN 器件的制造主力以 6 英寸晶圓為主，但臺(tái)積電、VIS 等代工廠嘗試引入 8 英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件。TrendForce 預(yù)期 2021 年通訊及功率器件營(yíng)收分別為 6.8 億和 6,100 萬美元，年增 30.8% 及 90.6%。

研究機(jī)構(gòu)表示，GaN 功率器件年增最高的主因是手機(jī)品牌如小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo 自 2018 年起率先推出快速充電頭，憑借高散熱效能與體積小的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)獲得消費(fèi)者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進(jìn)。預(yù)計(jì) GaN 器件會(huì)持續(xù)滲透至手機(jī)與筆電配件，且年增率將在 2022 年達(dá)到最高峰，后續(xù)隨著廠商采用逐漸普及，成長(zhǎng)動(dòng)能將略為趨緩。

針對(duì) SiC 碳化硅器件，由于通訊及功率領(lǐng)域皆需使用該襯底，6 英寸晶圓的供應(yīng)量顯得吃緊，預(yù)估 2021 年 SiC 器件于功率領(lǐng)域營(yíng)收可達(dá) 6.8 億美元，年增 32%。目前各大襯底商如科銳（CREE）、貳陸（II-VI）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）等已陸續(xù)開展 8 英寸襯底研制計(jì)劃，但仍有待 2022 年后才有望逐漸紓緩供給困境。